前言：想要寫出一篇令人眼前一亮的文章嗎？我們特意為您整理了5篇集成電路范文，相信會為您的寫作帶來幫助，發(fā)現(xiàn)更多的寫作思路和靈感。

集成電路范文第1篇

關(guān)鍵詞：555集成電路；工作原理；電路分析

浙江省教育改革走在全國前列，從2014屆開始，通用技術(shù)中的《電子控制技術(shù)》作為高考的選考內(nèi)容，這對于全省通用技術(shù)教師教學(xué)來說是個嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。大多數(shù)教師不是電子技術(shù)專業(yè)出身，有些從物理教師轉(zhuǎn)行過來，更甚的是從生物、化學(xué)、文科等教師中轉(zhuǎn)行過來，對電子技術(shù)專業(yè)知識相當(dāng)?shù)膮T乏，且現(xiàn)使用的蘇教版《電子控制技術(shù)》教材，沒有經(jīng)過教學(xué)實(shí)踐檢驗(yàn)，所以教材中有些錯誤的內(nèi)容沒有訂正。這樣情況下，我們有必要對555集成電路有全面的正確認(rèn)識，并能分析其在電路中的工作原理和實(shí)際應(yīng)用。

一、555集成電路命名規(guī)則和常見封裝形式

555集成電路芯片的生產(chǎn)廠家眾多，常見的有NE555、CA555、MC7555、CB7555.那它們的命名規(guī)則是怎樣的呢？

如果用TTL工藝制作的稱為雙極型集成電路，用CMOS工藝制作的稱為CMOS集成電路。所有雙極型集成電路型號最后3位數(shù)碼都是555；所有CMOS產(chǎn)品型號最后4位數(shù)碼都命名為7555；如果一個芯片上集成兩個555并共用一組電源叫雙定時器。雙極型雙定時器產(chǎn)品命名為556；CMOS雙定時器命名為7556。雙極型和CMOS型555定時器的功能和外部引腳的排列完全相同。

雙極型的555集成電路工作電壓為4.5V―15V，第3腳輸出（驅(qū)動電流）可達(dá)200mA，可直接驅(qū)動小型繼電器，但缺點(diǎn)是靜態(tài)電流也偏大。

CMOS型的7555集成電路工作電壓2―18V，靜態(tài)電流很小，只有80uA，特別適合于使用電池、低電源電壓場合。但7555的第3腳驅(qū)動電流很小，只有1mA，不能直接驅(qū)動繼電器，需要通過三極管的放大來驅(qū)動繼電器。

二、555芯片等效電路結(jié)構(gòu)及工作原理

（1）555等效功能電路圖。

雖然很多半導(dǎo)體器件公司都生產(chǎn)各自型號的555集成電路，但其內(nèi)部電路大同小異，且都具有相同的引腳功能端。

555集成電路內(nèi)部等效電路圖

555集成電路由3個阻值為5kΩ的電阻組成的分壓器（555由此得名）、兩個電壓比較器C1和C2、基本RS觸發(fā)器、放電三極管TD和緩沖反相器G3組成。虛線邊沿標(biāo)注的數(shù)字為管腳號。其中1腳為接地端；2腳為低電平觸發(fā)端，由此輸入低電平觸發(fā)脈沖；6腳為高電平觸發(fā)端，由此輸入高電平觸發(fā)脈沖；4腳為復(fù)位端，輸入負(fù)脈沖（或使其電壓低于0.7V）可使555定時器直接復(fù)位；5腳為電壓控制端，在此端外加電壓可以改變比較器的參考電壓，不用時，經(jīng)0.01uF的電容接地，以防止引入干擾；7腳為放電端，555定時器輸出低電平時，放電晶體管TD導(dǎo)通，外接電容元件通過TD放電；3腳為輸出端，輸出高電壓約低于電源電壓1V―3V，輸出電流可達(dá)200mA，因此可直接驅(qū)動繼電器、發(fā)光二極管、指示燈等；8腳為電源端，可在5V―15V范圍內(nèi)使用。

（2）555集成電路工作原理分析

5腳經(jīng)0.01uF電容接地，以防止引入干擾；比較器C1比較電壓為2/3VCC，C2的比較電壓為1/3VCC。

①當(dāng)R（__）=0時，Q（__）=1，uo=0，T飽和導(dǎo)通。

②當(dāng)R（__）=1、UTH>2VCC/3、UTR（____）>VCC/3時，C1=0、C2=1，Q（__）=1、Q=0，uo=0，T飽和導(dǎo)通。

③當(dāng)R（__）=1、UTHVCC/3時，C1=1、C2=1，Q（__）、Q不變，uo不變，T狀態(tài)不變。

④當(dāng)R（__）=1、UTH

三、教材555電路案例分析

案例1.雞蛋孵化溫度控制器的設(shè)計(jì)電路圖如下（教材P99頁）

對于這個電路圖根據(jù)我們之前對555原理的分析，發(fā)現(xiàn)教材對該電路的設(shè)計(jì)和分析有錯誤：

（1）圖中三個箭頭處應(yīng)加上圓點(diǎn)，表示電路是連接的。

（2）將 CB7555 改為 NE555，因CB7555 是 CMOS 型的集成電路，輸出電流只有1mA，驅(qū)動能力不夠。NE55是雙極型集成電路，能輸出200mA，能直接驅(qū)動繼電器。

（3）文字描述有誤。這里的 555 是工作于雙穩(wěn)態(tài)。

把熱敏電阻Rt1放入盛有37℃的水的燒杯中，調(diào)節(jié)可變電阻Rp1，使NE555的2腳電壓低于VCC/3，6腳的電壓低于2VCC/3，3腳輸出高電平，點(diǎn)亮V1，繼電器觸點(diǎn)J-1閉合，電熱器開始加熱。

案例2 555電路組成的水箱閉環(huán)電子控制系統(tǒng)電路圖（教材P104頁）

電路分析如下：

當(dāng)水位低于b點(diǎn)時，555電路中的AC和BC都斷開，所以2腳和6腳輸入都是低電平，由555邏輯功能表分析可知，3腳輸出高電平，V4飽和導(dǎo)通，繼電器J吸合，電動機(jī)M工作抽水。由于3腳高電平，所以V1導(dǎo)通，打水指示燈亮。7腳輸出狀態(tài)是高電平V2截止，有水指示燈不亮。

電動機(jī)M抽水時，水位上升，如果在ab之間，相當(dāng)于BC導(dǎo)通，AC斷開，則2腳輸入為高電平（大于VCC/3），6腳為低電平（小于2VCC/3），由555邏輯功能表分析可知，3腳輸出狀態(tài)不變，由原來的狀態(tài)決定，即3腳輸出高電平，V4飽和導(dǎo)通，繼電器J吸合，電動機(jī)M還是繼續(xù)工作抽水；由于3腳高電平，所以V1導(dǎo)通，打水指示燈亮。7腳輸出狀態(tài)是高電平V2截止，有水指示燈不亮。

當(dāng)水位到達(dá)a時，AC接通，6腳主電平（大于2VCC/3），則3腳和7腳輸出低電平，則V4和V1截止，繼電器J斷開，電動機(jī)M停止抽水，V1打水指示燈滅。由于7腳低電平，則V2導(dǎo)通，則有水指示燈亮。

當(dāng)水位下降時，AC斷開，BC接通，則6腳輸入是低電平（小于2VCC/3），而2腳輸入是高電平（大于VCC/3），3腳輸出狀態(tài)保持不變，即輸出為低電平，抽水機(jī)不工作。

當(dāng)水位下降到b時，電路工作情況跟（1）一樣，抽水機(jī)又工始工作，又重復(fù)前面的周期運(yùn)行情況。

以上是對教材兩例的糾錯和電路原理分析，但555電路的應(yīng)用有很多種，如接成單穩(wěn)態(tài)電路，可用在555觸摸定時開關(guān)和定時器；還可以外接電容器，組成多諧振蕩器，我們教師首先掌握555電路等效功能電路和基本的邏輯關(guān)系，對于實(shí)際電路也可以通過上面例子的分析方法，相信一定能理解其他555電路工作原理的，在電子控制技術(shù)教學(xué)中會更加得心應(yīng)用，心中有底氣。

參考文獻(xiàn)：

集成電路范文第2篇

本報告通過深入調(diào)查分析，把握行業(yè)目前所處的全球和國內(nèi)宏觀經(jīng)濟(jì)形勢，具體分析該產(chǎn)品所在的細(xì)分市場，對通用集成電路測試系統(tǒng)行業(yè)總體市場的供求趨勢及行業(yè)前景做出判斷；明確目標(biāo)市場、分析競爭對手，了解產(chǎn)品定位，把握市場特征，發(fā)掘價格規(guī)律，創(chuàng)新營銷手段，提出通用集成電路測試系統(tǒng)行業(yè)市場進(jìn)入和市場開拓策略，對行業(yè)未來發(fā)展提出可行性建議。

報告屬性

【報告性質(zhì)】專題調(diào)研

【報告名稱】

2009-2010年中國通用集成電路測試系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)專題調(diào)查分析報告

【表述方式】文字分析、數(shù)據(jù)比較、統(tǒng)計(jì)圖表瀏覽

【交付周期】3—5個工作日

【報告價格】8900元

【制作機(jī)關(guān)】中國市場調(diào)查研究中心

【定購電話】

86-10-88430838(劉老師)88864829(高老師)88864539(云老師)88893867(姜老師)

【傳真】86-10-68450238合同下載

報告目錄

第一章通用集成電路測試系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)市場基本情況分析

第一節(jié)市場發(fā)展環(huán)境分析（宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境、產(chǎn)業(yè)市場政策……）

一、2009年我國宏觀經(jīng)濟(jì)運(yùn)行情況

二、我國宏觀經(jīng)濟(jì)發(fā)展運(yùn)行趨勢

三、市場相關(guān)政策及影響分析

1、全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)對中國宏觀經(jīng)濟(jì)的消極影響

2、全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)對通用集成電路測試系統(tǒng)行業(yè)的消極影響

3、全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)對上下游產(chǎn)業(yè)的消極影響

4、中國擴(kuò)大內(nèi)需保增長的政策解析

5、行業(yè)未來運(yùn)行環(huán)境總述

第二節(jié)產(chǎn)業(yè)市場基本特征（定義分類或產(chǎn)業(yè)市場特點(diǎn)、發(fā)展歷程、市場重要動態(tài)……）

一、市場界定及主要產(chǎn)品

二、市場在國民經(jīng)濟(jì)中的地位

三、市場特性分析

四、市場發(fā)展歷程

五、國內(nèi)市場的重要動態(tài)

第三節(jié)產(chǎn)業(yè)市場發(fā)展情況（現(xiàn)狀、趨勢、市場重要動態(tài)……）

一、市場國際現(xiàn)狀分析

二、市場主要國家情況

三、市場國際發(fā)展趨勢分析

四、國際市場的重要動態(tài)

第二章2009年我國通用集成電路測試系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)市場經(jīng)濟(jì)運(yùn)行情況

第一節(jié)2009年我國產(chǎn)業(yè)市場發(fā)展基本情況（現(xiàn)狀、技術(shù)、產(chǎn)業(yè)市場運(yùn)行特點(diǎn)……）

一、市場發(fā)展現(xiàn)狀分析

二、市場特點(diǎn)分析

三、市場技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r

第二節(jié)我國本產(chǎn)業(yè)市場存在問題及發(fā)展限制（主要問題與發(fā)展受限、基本應(yīng)對的策略……）

第三節(jié)市場上、下游產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況（上、下游產(chǎn)業(yè)對本產(chǎn)業(yè)市場的影響）

一、市場上游產(chǎn)業(yè)

二、市場下游產(chǎn)業(yè)

第四節(jié)2006年-2009年產(chǎn)業(yè)市場企業(yè)數(shù)量分析（近年內(nèi)企業(yè)數(shù)量的變化情況以及各類型企業(yè)的數(shù)量變化……）

一、2006-2009年企業(yè)及虧損企業(yè)數(shù)量

二、不同規(guī)模企業(yè)數(shù)量

三、不同所有制企業(yè)數(shù)量分析

第五節(jié)2006年-2009年從業(yè)人數(shù)分析（近年內(nèi)從業(yè)人員的變化情況以及各類型企業(yè)的數(shù)量變化……）

一、不同規(guī)模企業(yè)從業(yè)人員分析

二、不同所有制企業(yè)比較

第六節(jié)本產(chǎn)業(yè)市場進(jìn)出口狀況分析（本產(chǎn)業(yè)市場內(nèi)主要產(chǎn)品進(jìn)出口情況）

第三章2009年我國通用集成電路測試系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)市場生產(chǎn)狀況分析

第一節(jié)2006年-2009年市場工業(yè)總產(chǎn)值分析

一、2006-2009年市場工業(yè)總產(chǎn)值分析

二、不同規(guī)模企業(yè)工業(yè)總產(chǎn)值分析

三、不同所有制企業(yè)工業(yè)總產(chǎn)值比較

四、2009年工業(yè)總產(chǎn)值地區(qū)分布

五、2009年總產(chǎn)值前20位企業(yè)對比

第二節(jié)2006年-2009年市場產(chǎn)成品分析（產(chǎn)成品、產(chǎn)成品區(qū)域市場）

一、2006-2009年產(chǎn)業(yè)市場產(chǎn)成品分析

二、不同規(guī)模企業(yè)產(chǎn)成品分析

三、不同所有制企業(yè)產(chǎn)成品比較

四、2009年產(chǎn)業(yè)市場產(chǎn)成品地區(qū)分布

第三節(jié)2006年-2009年本產(chǎn)業(yè)市場產(chǎn)成品資金占用率分析

第四章2009年我國通用集成電路測試系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)市場銷售狀況分析

第一節(jié)2006年-2009年市場銷售收入分析（產(chǎn)品銷售收入、不同規(guī)模的企業(yè)銷售收入、不同企業(yè)類型的銷售收入）

一、2006-2009年產(chǎn)業(yè)市場總銷售收入分析

二、不同規(guī)模企業(yè)總銷售收入分析

三、不同所有制企業(yè)總銷售收入比較

第二節(jié)2009年本產(chǎn)業(yè)市場產(chǎn)品銷售集中度分析

一、按企業(yè)分析

二、按地區(qū)分析

第三節(jié)2006年-2009年本產(chǎn)業(yè)市場銷售稅金分析

一、2006-2009年產(chǎn)業(yè)市場銷售稅金分析

二、不同規(guī)模企業(yè)銷售稅金分析

三、不同所有制企業(yè)銷售稅金比較

第五章2009年我國通用集成電路測試系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)市場成本費(fèi)用分析（銷售成本、銷售費(fèi)用、管理費(fèi)用、財(cái)務(wù)費(fèi)用、成本費(fèi)用利潤率……）

第一節(jié)2006-2009年市場產(chǎn)品銷售成本分析

一、2006-2009年產(chǎn)業(yè)市場銷售成本總額分析

二、不同規(guī)模企業(yè)銷售成本比較分析

三、不同所有制企業(yè)銷售成本比較分析

第二節(jié)2006-2009年市場銷售費(fèi)用分析

一、2006-2009年產(chǎn)業(yè)市場銷售費(fèi)用總額分析

二、不同規(guī)模企業(yè)銷售費(fèi)用比較分析

三、不同所有制企業(yè)銷售費(fèi)用比較分析

第三節(jié)2006-2009年市場管理費(fèi)用分析

一、2006-2009年產(chǎn)業(yè)市場管理費(fèi)用總額分析

二、不同規(guī)模企業(yè)管理費(fèi)用比較分析

三、不同所有制企業(yè)管理費(fèi)用比較分析

第四節(jié)2006-2009年市場財(cái)務(wù)費(fèi)用分析

一、2006-2009年產(chǎn)業(yè)市場財(cái)務(wù)費(fèi)用總額分析

二、不同規(guī)模企業(yè)財(cái)務(wù)費(fèi)用比較分析

三、不同所有制企業(yè)財(cái)務(wù)費(fèi)用比較分析

第五節(jié)2006-2009年市場成本費(fèi)用利潤率分析

第六章2009年我國通用集成電路測試系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)市場資產(chǎn)負(fù)債狀況分析（總資產(chǎn)、固定資產(chǎn)、總負(fù)債、流動資產(chǎn)、應(yīng)收賬款、資產(chǎn)負(fù)債率……）

第一節(jié)2006-2009年市場總資產(chǎn)狀況分析

一、2006-2009年產(chǎn)業(yè)市場總資產(chǎn)分析

二、不同規(guī)模企業(yè)資產(chǎn)規(guī)模比較分析

三、不同所有制企業(yè)總資產(chǎn)比較分析

四、總資產(chǎn)規(guī)模前20位企業(yè)對比

第二節(jié)2006-2009年市場固定資產(chǎn)狀況分析

一、2006-2009年產(chǎn)業(yè)市場固定資產(chǎn)凈值分析

二、不同規(guī)模企業(yè)固定資產(chǎn)凈值分析

三、不同所有制企業(yè)固定資產(chǎn)凈值分析

第三節(jié)2006-2009年市場總負(fù)債狀況分析

一、2006-2009年產(chǎn)業(yè)市場總負(fù)債分析

二、不同規(guī)模企業(yè)負(fù)債規(guī)模比較分析

三、不同所有制企業(yè)總負(fù)債比較分析

第四節(jié)2006-2009年市場流動資產(chǎn)總額分析

一、2006-2009年產(chǎn)業(yè)市場流動資產(chǎn)總額分析

二、不同規(guī)模企業(yè)流動資產(chǎn)周轉(zhuǎn)總額比較分析

三、不同所有制企業(yè)流動資產(chǎn)周轉(zhuǎn)總額比較分析

第五節(jié)2006-2009年市場應(yīng)收賬款總額分析

一、2006-2009年產(chǎn)業(yè)市場應(yīng)收賬款總額分析

二、不同規(guī)模企業(yè)應(yīng)收賬款總額比較分析

三、不同所有制企業(yè)應(yīng)收賬款總額比較分析

第六節(jié)2006-2009年市場資產(chǎn)負(fù)債率分析

第七節(jié)2006-2009年市場周轉(zhuǎn)情況分析

一、2006-2009年總資產(chǎn)周轉(zhuǎn)率分析

二、2006-2009年流動資產(chǎn)周轉(zhuǎn)率分析

三、2006-2009年應(yīng)收賬款周轉(zhuǎn)率分析

四、2006-2009年流動資產(chǎn)周轉(zhuǎn)次數(shù)

第八節(jié)2006-2009年市場資本保值增值率分析

第七章2009年我國通用集成電路測試系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)市場盈利能力分析（利潤總額、銷售毛利率、總資產(chǎn)利潤率、凈資產(chǎn)利潤率……）

第一節(jié)2006-2009年市場利潤總額分析

一、2006-2009年產(chǎn)業(yè)市場利潤總額分析

二、不同規(guī)模企業(yè)利潤總額比較分析

三、不同所有制企業(yè)利潤總額比較分析

第二節(jié)2006-2009年銷售毛利率分析

第三節(jié)2006-2009年銷售利潤率分析

第四節(jié)2006-2009年總資產(chǎn)利潤率分析

第五節(jié)2006-2009年凈資產(chǎn)利潤率分析

第六節(jié)2006-2009年產(chǎn)值利稅率分析

第八章2009年我國通用集成電路測試系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)市場經(jīng)濟(jì)運(yùn)行最好水平分析（資本保值增值率、資產(chǎn)負(fù)債率、產(chǎn)值利稅率、資金利潤率……）

第一節(jié)2006-2009年資本保值增值率最好水平

第二節(jié)2006-2009年資產(chǎn)負(fù)債率最好水平

第三節(jié)2006-2009年產(chǎn)值利稅率最好水平

第四節(jié)2006-2009年資金利潤率最好水平

第五節(jié)2006-2009年流動資產(chǎn)周轉(zhuǎn)次數(shù)最好水平

第六節(jié)2006-2009年成本費(fèi)用利潤率最好水平

第七節(jié)2006-2009年人均銷售率最好水平

第八節(jié)2006-2009年產(chǎn)成品資金占用率最好水平

第九章2009年我國通用集成電路測試系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)市場重點(diǎn)企業(yè)競爭狀況分析（產(chǎn)業(yè)市場按銷售收入前10企業(yè)）

第一節(jié)2009年企業(yè)地區(qū)分布

第二節(jié)銷售收入前10名企業(yè)競爭狀況分析

一、企業(yè)基本情況

（法人單位名稱、法定代表人、省、主要業(yè)務(wù)活動、從業(yè)人員合計(jì)、全年?duì)I業(yè)收入、資產(chǎn)總計(jì)、工業(yè)總產(chǎn)值、工業(yè)銷售產(chǎn)值、出貨值、工業(yè)增加值、產(chǎn)成品）

二、企業(yè)資產(chǎn)負(fù)債分析

（企業(yè)資產(chǎn)、固定資產(chǎn)、流動資產(chǎn)合計(jì)、流動資產(chǎn)年平均余額、負(fù)債合計(jì)、流動負(fù)債合計(jì)、長期負(fù)債合計(jì)、應(yīng)收帳款）

三、企業(yè)經(jīng)營費(fèi)用分析

（營業(yè)費(fèi)用、管理費(fèi)用、其中：稅金、財(cái)務(wù)費(fèi)用、利稅總額）

四、企業(yè)收入及利潤分析

（主營業(yè)務(wù)收入、主營業(yè)務(wù)成本、主營業(yè)務(wù)稅金及附加、其他業(yè)務(wù)收入、其他業(yè)務(wù)利潤、營業(yè)利潤、利潤總額）

五、企業(yè)營業(yè)外支出分析

（廣告費(fèi)、研究開發(fā)費(fèi)、勞動、失業(yè)保險費(fèi)、養(yǎng)老保險和醫(yī)療保險費(fèi)、住房公積金和住房補(bǔ)貼、應(yīng)付工資總額、應(yīng)付福利費(fèi)總額、應(yīng)交增值稅、進(jìn)項(xiàng)稅額、銷項(xiàng)稅額）

六、企業(yè)工業(yè)中間投入及現(xiàn)金流分析

（工業(yè)中間投入合計(jì)、直接材料投入、加工費(fèi)用中的中間投入、管理費(fèi)用中的中間投入、營業(yè)費(fèi)用中的中間投入、經(jīng)營活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流入、流出、投資活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流入、流出、籌資活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流入、流出）

第十章2009年我國通用集成電路測試系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)市場營銷及投資分析

第一節(jié)本產(chǎn)業(yè)市場營銷策略分析及建議

一、產(chǎn)業(yè)市場營銷策略分析

二、企業(yè)營銷策略發(fā)展及建議

第二節(jié)本產(chǎn)業(yè)市場投資環(huán)境分析及建議

一、投資環(huán)境分析

二、投資風(fēng)險分析

三、投資發(fā)展建議

第三節(jié)本產(chǎn)業(yè)市場企業(yè)經(jīng)營發(fā)展分析及建議

一、產(chǎn)業(yè)市場企業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及存在問題

二、產(chǎn)業(yè)市場企業(yè)應(yīng)對策略

第十一章2010-2013年我國通用集成電路測試系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)市場發(fā)展趨勢分析

第一節(jié)未來本產(chǎn)業(yè)市場發(fā)展趨勢分析（產(chǎn)業(yè)市場發(fā)展趨勢、技術(shù)發(fā)展趨勢、市場發(fā)展趨勢……）

一、未來發(fā)展分析

二、未來技術(shù)開發(fā)方向

三、總體產(chǎn)業(yè)市場“十一五”整體規(guī)劃及預(yù)測

第二節(jié)2010-2013年本產(chǎn)業(yè)市場運(yùn)行狀況預(yù)測（工業(yè)總產(chǎn)值、銷售收入、利潤總額、總資產(chǎn)）

一、2010-2013年工業(yè)總產(chǎn)值預(yù)測

二、2010-2013年銷售收入預(yù)測

集成電路范文第3篇

粗粗略讀一過，文章總結(jié)了我國IC產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步，擺出了存在的問題，提出了相應(yīng)對策，實(shí)事求是，識見不凡，總歸企望好夢成圓。筆者畢生混跡電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，終身期盼電子工業(yè)能在“電子化工業(yè)化兩化并舉”政策的指引下，電子工業(yè)真正成為中國國民經(jīng)濟(jì)中的主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)和第一產(chǎn)業(yè)。集成電路和平板顯示是電子工業(yè)的基礎(chǔ)，如果將平板顯示比作人的“臉面”的話，那IC則是人的“心臟”，發(fā)展至今，平板顯示業(yè)后起先熟，市場逐漸退燒，已屆低迷前進(jìn)，風(fēng)光難再的地步。而IC起步雖早，卻依然在開拓前進(jìn)，IC業(yè)尚有發(fā)展空間，不可等閑視之，更加拒絕等待。首先，世界IC業(yè)規(guī)模相對較大，目前市場在3000億美元左右，而平板顯示市場約為千億美元，兩者相差3倍之多，輕重未可倒置。摩爾定律走到盡頭的呼聲不絕于耳，走到頭也是必然趨勢，早晚總要來的，但晶圓尺寸仍將增大，盡管300mm晶圓問世已10有余年，450mm晶圓卻姍姍來遲，同時，加工工藝微細(xì)化也一直沒有停下腳步，近年將從28nm、20nm繼續(xù)邁向14nm、10nm，7nm？？何處是盡頭？ 有說1nm的，更有說0.1nm的，走著瞧吧！

IC的重要性猶如日月光華，伴我雄心，可說是一國經(jīng)濟(jì)成敗榮衰的定盤星和勝負(fù)手?！督鹑跁r報》近期正連載《50 Ideas》系列文章，其中7月9日有篇《微型芯片》說：微型芯片又叫集成電路，自20世紀(jì)后半葉以來已成為科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的基石。自1958年問世后，芯片幫助推動了空間發(fā)射任務(wù)、企業(yè)現(xiàn)代化以及世界貿(mào)易革命。通過不斷的微型化，芯片已把昔日需占有一個很大房間的電子管大型計(jì)算機(jī)的計(jì)算能力，凝縮到一手之握的智能手機(jī)中。1971年，英特爾生產(chǎn)的第一塊微處理器集成了2250個晶體管；如今，它采用22nm工藝生產(chǎn)的芯片，在一個句號大小的面積里可容下600萬個晶體管，42年增長了近2700倍。

微型芯片為商業(yè)帶來的益處是實(shí)實(shí)在在和顯而易見的。它們是個人電腦、平板電腦以及智能手機(jī)的引擎，而這些設(shè)備已成為企業(yè)雇員的主要工具。它們還是服務(wù)器的核心，而服務(wù)器則支撐著互聯(lián)網(wǎng)、存儲著我們的數(shù)據(jù)、執(zhí)行著電子商務(wù)交易。日趨強(qiáng)大的計(jì)算能力使得企業(yè)更有可能完成各種任務(wù)，比如預(yù)測天氣模式，發(fā)現(xiàn)能源，開發(fā)更有效的藥物、分析其銷售情況和顧客行為，在“大數(shù)據(jù)”中尋找線索，促進(jìn)未來的成功。在半個世紀(jì)多一點(diǎn)的時間里，微型芯片已成為商業(yè)世界的核心。

彼以今日的觀念，剖析了半個多世紀(jì)前入市的集成電路（IC），IC并未時過境遷而成明日黃花，而是與時俱進(jìn)，歷久彌新，技術(shù)迅速發(fā)展，應(yīng)用日益廣泛，重要性不斷增強(qiáng)，“成為科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的基石”，“商業(yè)世界的核心”，今日人人工作時不可或缺的工具，生活的重要助手，信息存取的淵源，明天新科技開發(fā)的手段。它的重要性怎么強(qiáng)調(diào)也不致過分，我人豈可等閑視之？

中國IC起步不晚，美國1961年開始生產(chǎn)，日本1966年，中國1968年，韓國1977年，我們僅比日本晚2年，比韓國還早了9年。參考有關(guān)資料進(jìn)行估計(jì)，到2011 年，美國半導(dǎo)體產(chǎn)值約540億美元，韓國430億美元，日本近400億美元，分列世界前三位，中國僅約89億美元，不顯生機(jī)，經(jīng)過40多年的發(fā)展，生產(chǎn)規(guī)模被拉大到5倍左右。又據(jù)2012年海關(guān)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，我國IC進(jìn)口金額為1920.6億美元，同比增長12.8%，與當(dāng)年我國原油的進(jìn)口金額（2206.7億美元）大體相當(dāng)，歸為最大進(jìn)口產(chǎn)品之列。與此同時，中國家電、手機(jī)、電腦、汽車等整機(jī)企業(yè)所需的核心芯片80%以上不得不依賴進(jìn)口。技術(shù)層面差距也很明顯，國際先進(jìn)工藝已經(jīng)達(dá)到2xnm層級，正向著1xnm演進(jìn)，而中國目前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的工藝技術(shù)仍是40nm，相差至少2代。綜上觀察分析，事實(shí)無情地說明，我國IC產(chǎn)業(yè)與國際相比較是全方位地大大落后，不但沒有跟上時代闊步向前的堅(jiān)實(shí)步伐，而是在慢條斯理，不著不急地緩慢前行。

美國市調(diào)公司IC Insights 7月發(fā)表了一份250頁的報告――《Mid-Year Update to the 2013 McClean Report》，專門討論分析了中國IC的市場和生產(chǎn)，該報告指出，自2005年起中國已是世界最大的IC市場，但展望中國的IC生產(chǎn)既不能馬上跟上市場，且恐將永續(xù)落后。如圖1所示，2012年中國的IC生產(chǎn)計(jì)89億美元，僅占當(dāng)年市場810億美元的11%，預(yù)期到2017年也就略略增長到14%多一點(diǎn)。

而且，中國IC的生產(chǎn)大多還掌握在外國公司之手，表1告訴我們中國10大IC生產(chǎn)公司中美國Intel和韓國Hynix分別占l、2位，合計(jì)產(chǎn)值占中國全部生產(chǎn)的53%，超過一半，預(yù)估今后幾年內(nèi)還將迅速成長。特別值得一提的還有三星公司，它將總投入70億美元資金，在西安建設(shè)300mm生產(chǎn)線，采用10～19nm工藝生產(chǎn)NAND閃存，影響更為深遠(yuǎn)。而中國IC生產(chǎn)在世界IC市場上則很不起眼，2012年僅占3.5%，到2017年才5.6%，既便加上若干未入統(tǒng)計(jì)的代工收入，2017年至多也到不了10%，可見中國IC生產(chǎn)的尷尬處境，真正難以為情，情何以堪，它的生產(chǎn)規(guī)模與中國龐大的電子市場、IC的殷切需求極不相稱。

可以說筆者是世界IC產(chǎn)業(yè)演繹幾十年的旁觀者，內(nèi)外參照，撫今追昔，不禁感慨系之！我國IC下手不晚，惜乎認(rèn)識有差，屢失良機(jī)，眼看著周邊日、韓、中國臺灣（地區(qū)）相繼崛起，稱雄世界，我國縱有一定進(jìn)步，然發(fā)展遲緩，導(dǎo)致IC市場君臨天下，而進(jìn)口雄踞首位，生產(chǎn)不敷應(yīng)用，與市場極不相稱。展望未來，世界電子工業(yè)、IC產(chǎn)業(yè)依然將繼續(xù)成長，前景樂觀，我們真應(yīng)即時扭轉(zhuǎn)認(rèn)識，立馬奮發(fā)圖強(qiáng)，加速跟進(jìn)，跳躍發(fā)展，追夢中國集成電路，振興中華庶可實(shí)現(xiàn)。

集成電路范文第4篇

【關(guān)鍵詞】：微電子集成電路納米電子

中圖分類號： TN4 文獻(xiàn)標(biāo)識碼： A

隨著科技的迅猛發(fā)展，信息技術(shù)，電子技術(shù)，自動化技術(shù)及計(jì)算機(jī)技術(shù)日漸融合，成為當(dāng)今社會科技領(lǐng)域的重要支柱技術(shù)，任何領(lǐng)域的研發(fā)工作都與這些技術(shù)緊密聯(lián)系，而他們的相互交叉，相互滲透，也越來越密切。

微電子技術(shù)是現(xiàn)代電子信息技術(shù)的直接基礎(chǔ)，它的發(fā)展有力推動了通信技術(shù)，計(jì)算機(jī)技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的迅速發(fā)展，成為衡量一個國家科技進(jìn)步的重要標(biāo)志。美國貝爾研究所的三位科學(xué)家因研制成功第一個結(jié)晶體三極管，獲得1956年諾貝爾物理學(xué)獎。晶體管成為集成電路技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，現(xiàn)代微電子技術(shù)就是建立在以集成電路為核心的各種半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)上的高新電子技術(shù)。集成電路的生產(chǎn)始于1959年，其特點(diǎn)是體積小、重量輕、可靠性高、工作速度快。衡量微電子技術(shù)進(jìn)步的標(biāo)志要在三個方面：一是縮小芯片中器件結(jié)構(gòu)的尺寸，即縮小加工線條的寬度；二是增加芯片中所包含的元器件的數(shù)量，即擴(kuò)大集成規(guī)模；三是開拓有針對性的設(shè)計(jì)應(yīng)用。

大規(guī)模集成電路指每一單晶硅片上可以集成制作一千個以上的元器件。集成度在一萬至十萬以上元器件的為超大規(guī)模集成電路。國際上80年代大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路光刻標(biāo)準(zhǔn)線條寬度為0．7一0．8微米，集成度為108 。90年代的標(biāo)準(zhǔn)線條寬度為0．3一0．5微米，集成度為109。集成電路有專用電路(如鐘表、照相機(jī)、洗衣機(jī)等電路)和通用電路。通用電路中最典型的是存貯器和處理器，應(yīng)用極為廣泛。計(jì)算機(jī)的換代就取決于這兩項(xiàng)集成電路的集成規(guī)模。

存貯器是具有信息存貯能力的器件。隨著集成電路的發(fā)展，半導(dǎo)體存貯器已大范圍地取代過去使用的磁性存貯器，成為計(jì)算機(jī)進(jìn)行數(shù)字運(yùn)算和信息處理過程中的信息存貯器件。存貯器的大小(或稱容量)常以字節(jié)為單位，字節(jié)則以大寫字母B表示，存貯器芯片的集成度已以百萬位(MB)為單位。目前，實(shí)驗(yàn)室已做出8MB的動態(tài)存貯器芯片。一個漢字占用2個字節(jié)，也就是說，400萬漢字可以放入指甲大小的一塊硅片上。動態(tài)存貯器的集成度以每3年翻兩番的速度發(fā)展。

中央處理器(CPU)是集成電路技術(shù)的另一重要方面，其主要功能是執(zhí)行“指令”進(jìn)行運(yùn)算或數(shù)據(jù)處理?，F(xiàn)代計(jì)算機(jī)的CPU通常由數(shù)十萬到數(shù)百萬晶體管組成。70年代，隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，促使一個完整的CPU可以制作在一塊指甲大小的硅片上。度量CPU性能最重要的指標(biāo)是“速度”，即看它每秒鐘能執(zhí)行多少條指令。60年代初，最快的CPU每秒能執(zhí)行100萬條指令（?？s寫成MIPS)。1991年，高檔微處理器的速度已達(dá)5000萬一8000萬次。現(xiàn)在繼續(xù)提高CPU速度的精簡指令系統(tǒng)技術(shù)(即將復(fù)雜指令精減、減少)以及并行運(yùn)算技術(shù)(同時并行地執(zhí)行若干指令)正在發(fā)展中。在這個領(lǐng)域，美國硅谷的英特爾公司一直處于領(lǐng)先地位。此外，光學(xué)與電子學(xué)的結(jié)合，成為光電子技術(shù)，被稱為尖端中的尖端，為微電子技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展找到了新的出路。美國《時代》雜志預(yù)測：“21世紀(jì)將成為光電子時代?！逼渲饕I(lǐng)有激光技術(shù)、紅外技術(shù)、光纖通信技術(shù)等。

微電子學(xué)給人類帶來了半個世紀(jì)的繁榮。目前國際上集成電路生產(chǎn)線已普遍采用8圓片，0.35um工藝。我國 集成電路集成電路的大生產(chǎn)水平發(fā)展也很快。1995年已經(jīng)達(dá)到了6'1.2um的水平，IC產(chǎn)量到2000年可望達(dá)到年產(chǎn)10億塊。1995年4月，中科院微電子中心已開發(fā)出0.8um的CMOS工藝，在5.0×5.7mm 面積上集成了26000只晶體管、輸出管腳數(shù)為72，制成了通用的模糊控制集成塊。

集成電路范文第5篇

在此，我們重點(diǎn)是討論集成電路芯片加工過程中的一些關(guān)鍵手藝。

集成電路基本工藝包括基片外延生長、掩模制造、曝光技術(shù)、刻蝕、氧化、擴(kuò)散、離子注入、多晶硅淀積、金屬層形成。

關(guān)鍵詞：外延、掩膜、光刻、刻蝕、氧化、擴(kuò)散、離子注入、淀積、金屬層

集成電路芯片加工工藝，雖然在進(jìn)行IC設(shè)計(jì)時不需要直接參與集成電路的工藝流程，了解工藝的每一個細(xì)節(jié)，但了解IC制造工藝的基本原理和過程，對IC設(shè)計(jì)是大有幫助的。

集成電路基本工藝包括基片外延生長掩模制造、曝光技術(shù)、刻蝕、氧化、擴(kuò)散、離子注入、多晶硅淀積、金屬層形成。

下面我們分別對這些關(guān)鍵工藝做一些簡單的介紹。

一、外延工藝

外延工藝是60年代初發(fā)展起來的一種非常重要的技術(shù)，盡管有些器件和IC可以直接做在未外延的基片上，但是未經(jīng)過外延生長的基片通常不具有制作期間和電路所需的性能。外延生長的目的是用同質(zhì)材料形成具有不同摻雜種類及濃度而具有不同性能的晶體層。常用的外延技術(shù)主要包括氣相、液相金屬有機(jī)物氣相和分子束外延等。其中，氣相外延層是利用硅的氣態(tài)化合物或液態(tài)化合物的蒸汽在襯底表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成單晶硅，即CUD單晶硅；液相外延則是由液相直接在襯底表面生長外延層的方法；金屬有機(jī)物氣相外延則是針對ⅢⅤ族材料，將所需要生長的ⅢⅤ族元素的源材料以氣體混合物的形式進(jìn)入反應(yīng)器中加熱的生長區(qū)，在那里進(jìn)行熱分解與沉淀反映，而分子束外延則是在超高真空條件下，由一種或幾種原子或分子束蒸發(fā)到襯底表面形成外延層的方法。

二、掩模板的制造

掩模板可分成整版及單片版兩種，整版按統(tǒng)一的放大率印制，因此稱為1×掩模，在一次曝光中，對應(yīng)著一個芯片陳列的所有電路的圖形都被映射到基片的光刻膠上。單片版通常八九、實(shí)際電路放大5或10倍，故稱作5×或10×掩模，其圖案僅對應(yīng)著基片上芯片陳列中的單元。

早期掩模制作的方法：①首先進(jìn)行初縮，把版圖分層畫在紙上，用照相機(jī)拍照，而后縮小為原來的10%~%20的精細(xì)底片；②將初縮版裝入步進(jìn)重復(fù)照相機(jī)，進(jìn)一步縮小，一步一幅印到鉻片上，形成一個陣列。

制作掩模常用的方法還包括：圖案發(fā)生器方法、x射線制版、電子束掃描法。

其中x射線、電子束掃描都可以用來制作分辨率較高的掩模版。

三、光刻技術(shù)

光刻是集成電路工藝中的一種重要加工技術(shù)，在光刻過程中用到的主要材料為光刻膠。光刻膠又稱為光致抗蝕劑，有正膠、負(fù)膠之分。其中，正膠曝光前不溶而曝光后可溶，負(fù)膠曝光前可溶而曝光后不可溶。

光刻的步驟：①晶圓涂光刻膠；②曝光；③顯影；④烘干

常見的光刻方法：①接觸式光刻；②接近式光刻；③投影式光刻

其中，接觸式光刻可得到比較高的分辨率，但容易損傷掩模版和光刻膠膜；接近式光刻，則大大減少了對掩模版的損傷，但分辨率降低；投影式光刻，減少掩模版的磨損也有效提高光刻的分辨率。

四、刻蝕技術(shù)

經(jīng)過光刻后在光刻膠上得到的圖形并不是器件的最終組成部分，光刻只是在光刻膠上形成臨時圖形，為了得到集成電路真正需要的圖形，必須將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到硅膠上，完成這種圖形轉(zhuǎn)換的方法之一就是將未被光刻膠掩蔽的部分通過選擇性腐蝕去掉。

常用的刻蝕方法有：濕法腐蝕、干法腐蝕。

濕法腐蝕：首先要用適當(dāng)?shù)娜芤航櫩涛g面，溶液中包含有可以分解表面薄層的反應(yīng)物，其主要優(yōu)點(diǎn)是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡單、成本低。存在的問題有鉆蝕嚴(yán)重、對圖形的控制性較差、被分解的材料在反應(yīng)區(qū)不能有效清除。

干法刻蝕：使用等離子體對薄膜線條進(jìn)行刻蝕的一種新技術(shù)，按反應(yīng)機(jī)理可分為等離子刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕、磁增強(qiáng)反應(yīng)例子刻蝕和高密度等離子刻蝕等類型，是大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路工藝中不可缺少的工藝設(shè)備。干法刻蝕具有良好的方向性。

五、氧化

在集成電路工藝中常用的制備氧化層的方法有：①干氧氧化；②水蒸氣氧化；③濕氧氧化。

干氧氧化：高溫下氧與硅反應(yīng)生成sio2的氧化方法；

水蒸氣氧化：高溫下水蒸氣與硅發(fā)生反應(yīng)的氧化方法；

濕氧氧化：氧化首先通過盛有95%c左右去離子睡的石英瓶，將水汽帶入氧化爐內(nèi)，再在高溫下與硅反映的氧化方法。

影響硅表面氧化速率的三個關(guān)鍵因素：溫度、氧化劑的有效性、硅層的表面勢。

六、擴(kuò)散與離子注入

擴(kuò)散工藝通常包括兩個步驟：即在恒定表面濃度條件下的預(yù)淀積和在雜志總量不變的情況下的再分布。預(yù)淀積只是將一定數(shù)量的雜質(zhì)引入硅晶片表面，而最終的結(jié)深和雜質(zhì)分布則由再分布過程決定。

常見的擴(kuò)散方法主要有固態(tài)源擴(kuò)散和氣態(tài)源擴(kuò)散等。

離子注入是將具有很高能量的帶點(diǎn)雜質(zhì)離子射入半導(dǎo)體襯底中的摻雜技術(shù)，它的摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量、雜質(zhì)離子的質(zhì)量決定，摻雜濃度由注入雜質(zhì)離子的劑量決定。高能離子射入靶后，不斷與襯底中的原子以及核外電子碰撞，能量逐步損失，最后停止下來。

離子注入法于20世紀(jì)50年代開始研究，20世紀(jì)70年代進(jìn)入工業(yè)應(yīng)用階段。隨著VLSI超精細(xì)加工技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)已成為各種半導(dǎo)體摻雜和注入隔離的主流技術(shù)。在離子注入后，由于會在襯底中形成損傷，而且大部分注入的離子又不是以替位的形式位于晶格上，為了激活注入到襯底中的雜質(zhì)離子，并消除半導(dǎo)體襯底中的損傷，需要對離子注入后的硅片進(jìn)行退火。

退火，也叫熱處理，作用是消除材料中的應(yīng)力或改變材料中的組織結(jié)構(gòu)，以達(dá)到改善機(jī)械強(qiáng)度或硬度的目的。

七、淀積

器件的制造需要各種材料的淀積，這些材料包括多晶硅、隔離互連層的絕緣材料和作為互連的金屬層。

在厚絕緣層上生長多晶硅的一個常用方法是“化學(xué)氣相淀積”（CVD），這種方法是將晶片放到一個充滿某種氣體的擴(kuò)散爐中，通過氣體的化學(xué)反應(yīng)生成所需要的材料。

以上簡單介紹了集成電路的基本工藝，當(dāng)然，這些只是關(guān)鍵的幾個工藝，集成電路的工藝還有很多，在這里就不一一說明了。

參考文獻(xiàn)：

[1] 李冰，集成電路CAD與實(shí)踐，電子工業(yè)出版社

[2] 王志功、陳瑩梅，集成電路設(shè)計(jì)（第二版），電子工業(yè)出版社

[3] 張興、黃如、劉曉彥，微電子學(xué)概論（第二版），北京大學(xué)出版社