半導體技術雜志 北大期刊 統(tǒng)計源期刊
主管單位：中國電子科技集團公司 主辦單位：中國電子科技集團公司第十三研究所
月刊 審稿周期：1-3個月 全年訂價：￥316.00
《半導體技術》由趙小寧擔任主編，創(chuàng)刊于1976年，由中國電子科技集團公司主管、中國電子科技集團公司第十三研究所主辦的一本電子領域專業(yè)期刊。主要刊載該領域內的原創(chuàng)性研究論文、綜述和評論等，力求及時、準確、全面的反映該領域的政策、技術、應用市場及動態(tài)。
- 13-1109/TN 國內刊號
- 1003-353X 國際刊號
- 2255 發(fā)文量
- 0.34 影響因子
- 7023 總被引量
- 18-65 郵發(fā)代號
- 1976 創(chuàng)刊時間
半導體技術期刊信息
- 出版語言：中文
- 創(chuàng)刊時間：1976年
- 國際刊號：1003-353X
- 曾用名：半導體技術
- 紙張開本：A4
- 國內刊號：13-1109/TN
- 出版地區(qū)：河北
- 發(fā)行周期：月刊
- 郵發(fā)代號：18-65
半導體技術期刊榮譽
半導體技術投稿須知
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3.表格全部采用三線表，插圖中的文字采用小5號宋體加粗，每張插圖的寬度不要超過200px，一律用Word文檔制作。
4.正文標題：內容應簡潔、明了，層次不宜過多，層次序號為一、（一）、1、（1），層次少時可依次選序號。
5.作者切忌一稿多投，3個月內未收到我刊任何回復，即可將稿件另行處理。無論文章采用與否，均不予退稿，請作者自留底稿。
半導體技術編輯部聯(lián)系方式
地址：石家莊市合作路113號
郵編：50051
主編：趙小寧
半導體技術發(fā)文選摘
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1、征稿通知 第13屆國際專用集成電路會議
作者：--
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2、金剛石基GaN HEMT技術發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢
作者：趙金霞
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3、基于InGaAs蓋革模式APD探測器的主動淬滅電路設計
作者：楊赟秀; 袁菲; 路小龍; 景立; 鄧世杰; 咼長冬; 宋海智; 張偉
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4、一種性能指標可配置的SAR ADC的設計與實現(xiàn)
作者：居水榮; 謝亞偉; 王津飛; 朱樟明
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5、SiC MOSFET的短路特性
作者：高勇; 喬小可; 孟昭亮; 楊媛
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6、基于噴墨打印的In2O3/IGZO TFT的電學性能
作者：梁坤; 邵霜霜; 羅慢慢; 謝建軍; 趙建文; 崔錚
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7、雙溝道脊波導InGaAsP/InGaAsP半導體激光器的溫度分布仿真
作者：李曉; 張瑞英; 郭春揚; 趙岳
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8、基于Statz模型的射頻MOSFET非線性電容建模
作者：薛佳男; 劉逸哲; 高建軍
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9、n型雙面TOPCon太陽電池鈍化技術
作者：于波; 史金超; 李鋒; 龐龍; 劉克銘; 于威
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10、圖形化藍寶石襯底表面原位處理對GaN外延薄膜的影響
作者：盛百城; 白欣嬌; 唐蘭香; 甘琨; 袁鳳坡
半導體技術期刊評價分析
年發(fā)文量和被引次數(shù)
影響因子和立即指數(shù)
半導體技術期刊評價報告
| 年份 | 2013 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 |
| 被引次數(shù) | 532 | 571 | 633 | 562 | 608 | 578 | 621 | 688 | 659 | 659 |
| 影響因子 | 0.18 | 0.22 | 0.22 | 0.28 | 0.28 | 0.31 | 0.4 | 0.47 | 0.57 | 0.49 |
| 立即指數(shù) | 0.04 | 0.03 | 0.08 | 0.06 | 0.1 | 0.11 | 0.1 | 0.09 | 0.13 | 0.06 |
| 發(fā)文量 | 192 | 181 | 170 | 176 | 162 | 151 | 161 | 150 | 152 | 150 |
| 被引半衰期 | 5.65 | 6.04 | 6.78 | 6.4 | 7.04 | 7.32 | 7.01 | 6.78 | 5.18 | 6.09 |
| 引用半衰期 | 4.57 | 5.19 | 5.38 | 5.91 | 4.43 | 4.89 | 3.86 | 4.93 | 4.75 | 4.62 |
| 期刊他引率 | 0.9 | 0.88 | 0.88 | 0.86 | 0.88 | 0.89 | 0.86 | 0.81 | 0.79 | 0.9 |
| 平均引文率 | 11.1 | 11.3 | 13.3 | 14.6 | 17.5 | 17.1 | 16.1 | 19.8 | 19.5 | 19 |
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