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半導(dǎo)體信息雜志 部級期刊

主管單位:中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件專業(yè)協(xié)會 信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所  主辦單位:中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件分會;中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所

雙月刊  審稿周期:預(yù)計(jì)1個(gè)月內(nèi)  

《半導(dǎo)體信息》創(chuàng)刊于1990年,由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件專業(yè)協(xié)會 信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所主管、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件分會;中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所主辦的一本電子領(lǐng)域?qū)I(yè)期刊。主要刊載該領(lǐng)域內(nèi)的原創(chuàng)性研究論文、綜述和評論等,力求及時(shí)、準(zhǔn)確、全面的反映該領(lǐng)域的政策、技術(shù)、應(yīng)用市場及動態(tài)。

  • 1777 發(fā)文量
  • 120 總被引量
  • 1990 創(chuàng)刊時(shí)間

半導(dǎo)體信息期刊信息

  • 出版語言:中文
  • 創(chuàng)刊時(shí)間:1990年
  • 曾用名:半導(dǎo)體信息報(bào)
  • 紙張開本:A4
  • 出版地區(qū):江蘇
  • 發(fā)行周期:雙月刊

半導(dǎo)體信息投稿須知

1、基金項(xiàng)目論文:論文所涉及的課題如為國家或部、省級基金或?qū)俟リP(guān)項(xiàng)目,應(yīng)腳注于文題頁左下方,并附基金證書復(fù)印件。

2、以“參考文獻(xiàn)”(左頂格)作為標(biāo)志,不分文獻(xiàn)類別不加編號,順序排列。中文參考文獻(xiàn)在前,按拼音順序排列;英文參考文獻(xiàn)在后,按字母順序排列。

3、編輯部收到文稿后立即登記編號并通過作者投稿電子信箱回復(fù),在收到回復(fù)的3個(gè)工作日內(nèi),如果沒有收到修改或錄用通知,說明文稿尚在處理之中,作者如欲另投他刊,請務(wù)必先與本編輯部聯(lián)系。

4、表應(yīng)按其在正文中出現(xiàn)的先后次序連續(xù)編碼,每幅表應(yīng)冠有表題并在正文中標(biāo)示“見表”,以確保每個(gè)表均在正文中被引用。

5、正文應(yīng)層次分明,在層次標(biāo)碼后,應(yīng)擬定標(biāo)題。盡量減少層次,不得多于3 層,采用1,1.1,1.1.1 方式。層次的數(shù)字序號頂格寫,序號后要空一個(gè)漢字。

6、務(wù)必提供第一作者的情況簡介。作者簡介一般包括工作單位、專業(yè)職稱、郵政編碼和聯(lián)系方式(電子信箱和電話)等。

7、不提倡引征作者自己的未刊稿,除非是即將出版或已經(jīng)在一定范圍內(nèi)公開的。

8、題名應(yīng)文題相符,一般不超過20字,避免使用非公知公用的縮略字、代號等( 一般不用副標(biāo)題) 。

9、注釋用于對文章正文作補(bǔ)充論說的文字,采用頁下注,注號用①②③;參考文獻(xiàn)用于說明引文出處,采用文末注,用[1][2][3]順序標(biāo)注。

10、論文需有200-300字的中文摘要、3-5個(gè)關(guān)鍵詞。凡有數(shù)學(xué)公式、曲線圖的文稿,務(wù)必字跡清楚、規(guī)范,圖形清晰。

半導(dǎo)體信息編輯部聯(lián)系方式

地址:南京市1601信箱43分箱(南京市中山東路524號)

郵編:210016

半導(dǎo)體信息發(fā)文選摘

  • 1、美國布法羅大學(xué)研制出耐壓1850V的氧化鎵晶體管提高器件功率并保持小體積、低質(zhì)量

    作者:--

  • 2、成都集成電路行業(yè)協(xié)會成立推進(jìn)產(chǎn)業(yè)聯(lián)動、構(gòu)建特色產(chǎn)業(yè)生態(tài)

    作者:--

  • 3、宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出100V,25mΩ的eGaN功率晶體管

    作者:--

  • 4、意法半導(dǎo)體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

    作者:--

  • 5、氮化鎵(GaN)器件可滿足雷達(dá)、電子戰(zhàn)(EW)和通信系統(tǒng)所需的高性能、高功率和

    作者:--

  • 6、臺達(dá)公司使用高壓GaN FET將電源尺寸縮小25%

    作者:--

  • 7、雷神公司宣布在新生產(chǎn)的GEM-T攔截器中使用GaN發(fā)射器芯片

    作者:--

  • 8、光電化學(xué)蝕刻可用于制造氮化鎵中高縱橫比深溝槽

    作者:--

  • 9、高電子遷移率的磁感應(yīng)氮化鎵晶體管

    作者:--

  • 10、集成SiC SBD的6.5kV全SiC MOSFET功率模塊

    作者:--

半導(dǎo)體信息期刊評價(jià)分析

年發(fā)文量和被引次數(shù)
影響因子和立即指數(shù)

半導(dǎo)體信息期刊評價(jià)報(bào)告

年份 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020
被引次數(shù) 0.006 0 0.005 0 0.006 0.006 0 0
影響因子 176 190 194 147 167 161 152 148
立即指數(shù) 1.25 2.5 2 3.25 2.56 3.4 3.33 4.38
發(fā)文量 0.008 0.011 0.008 0.013 0.021 0.016 0.018 0.003
被引半衰期 -- -- -- -- -- -- -- --
引用半衰期 0 0 0 0 0 0 0 0
期刊他引率 -- -- -- -- -- -- -- --
平均引文率 1 1 1 1 1 1 1 1

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