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Ieee Transactions On Electron Devices SCIE

國際簡稱:IEEE T ELECTRON DEV  參考譯名:IEEE Transactions On Electron Devices

主要研究方向:工程技術(shù)-工程:電子與電氣  非預(yù)警期刊  審稿周期: 約4.7個月

《IEEE Transactions On Electron Devices》(Ieee Transactions On Electron Devices)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的以工程技術(shù)-工程:電子與電氣為研究特色的國際期刊,發(fā)表該領(lǐng)域相關(guān)的原創(chuàng)研究文章、評論文章和綜述文章,及時報道該領(lǐng)域相關(guān)理論、實踐和應(yīng)用學(xué)科的最新發(fā)現(xiàn),旨在促進(jìn)該學(xué)科領(lǐng)域科學(xué)信息的快速交流。該期刊是一本未開放期刊,近三年沒有被列入預(yù)警名單。該期刊享有很高的科學(xué)聲譽,影響因子不斷增加,發(fā)行量也同樣高。

  • 2區(qū) 中科院分區(qū)
  • Q2 JCR分區(qū)
  • 1084 年發(fā)文量
  • 2.9 IF影響因子
  • 未開放 是否OA
  • 165 H-index
  • 1954 創(chuàng)刊年份
  • Monthly 出版周期
  • English 出版語言

IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are also published and occasional special issues appear to present a collection of papers which treat particular areas in more depth and breadth.

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Ieee Transactions On Electron Devices期刊信息

  • ISSN:0018-9383
  • 出版語言:English
  • 是否OA:未開放
  • E-ISSN:1557-9646
  • 出版地區(qū):UNITED STATES
  • 是否預(yù)警:
  • 出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
  • 出版周期:Monthly
  • 創(chuàng)刊時間:1954
  • 開源占比:0.0674
  • Gold OA文章占比:6.38%
  • OA被引用占比:0.0017...
  • 出版國人文章占比:0.22
  • 出版撤稿占比:0
  • 研究類文章占比:100.00%

Ieee Transactions On Electron Devices CiteScore評價數(shù)據(jù)(2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore 指數(shù)
5.8 0.785 1.223
學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 221 / 797

72%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 82 / 284

71%

名詞解釋:CiteScore 是衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù),是在 Scopus 中衡量期刊影響力的另一個指標(biāo)。當(dāng)年CiteScore 的計算依據(jù)是期刊最近4年(含計算年度)的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻(xiàn)數(shù)。例如,2022年的 CiteScore 計算方法為:2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的對2019-2022年發(fā)表的文件的引用數(shù)量÷2019-2022年發(fā)布的文獻(xiàn)數(shù)量 注:文獻(xiàn)類型包括:文章、評論、會議論文、書籍章節(jié)和數(shù)據(jù)論文。

Ieee Transactions On Electron Devices中科院評價數(shù)據(jù)

中科院 2023年12月升級版

Top期刊 綜述期刊 大類學(xué)科 小類學(xué)科
工程技術(shù) 2區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)

中科院 2022年12月升級版

Top期刊 綜述期刊 大類學(xué)科 小類學(xué)科
工程技術(shù) 2區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)

中科院 2021年12月舊的升級版

Top期刊 綜述期刊 大類學(xué)科 小類學(xué)科
工程技術(shù) 2區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)

中科院 2021年12月基礎(chǔ)版

Top期刊 綜述期刊 大類學(xué)科 小類學(xué)科
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

中科院 2021年12月升級版

Top期刊 綜述期刊 大類學(xué)科 小類學(xué)科
工程技術(shù) 2區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)

中科院 2020年12月舊的升級版

Top期刊 綜述期刊 大類學(xué)科 小類學(xué)科
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 2區(qū) 2區(qū)

Ieee Transactions On Electron Devices JCR評價數(shù)據(jù)(2023-2024年最新版)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 143 / 352

59.5%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 68 / 179

62.3%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 145 / 354

59.18%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 61 / 179

66.2%

Ieee Transactions On Electron Devices歷年數(shù)據(jù)統(tǒng)計

影響因子
中科院分區(qū)

Ieee Transactions On Electron Devices中國學(xué)者發(fā)文選摘

Ieee Transactions On Electron Devices同類期刊

免責(zé)聲明

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