Microelectronic Engineering SCIE

國際簡稱：MICROELECTRON ENG 參考譯名：微電子工程

主要研究方向：工程技術(shù)-工程：電子與電氣非預(yù)警期刊審稿周期：約6.0個月

《微電子工程》(Microelectronic Engineering)是一本由Elsevier出版的以工程技術(shù)-工程：電子與電氣為研究特色的國際期刊，發(fā)表該領(lǐng)域相關(guān)的原創(chuàng)研究文章、評論文章和綜述文章，及時報道該領(lǐng)域相關(guān)理論、實(shí)踐和應(yīng)用學(xué)科的最新發(fā)現(xiàn)，旨在促進(jìn)該學(xué)科領(lǐng)域科學(xué)信息的快速交流。該期刊是一本未開放期刊，近三年沒有被列入預(yù)警名單。

4區(qū) 中科院分區(qū)
Q2 JCR分區(qū)
100 年發(fā)文量
2.6 IF影響因子
未開放 是否OA
89 H-index
1983 創(chuàng)刊年份
Monthly 出版周期
English 出版語言

Microelectronic Engineering is the premier nanoprocessing, and nanotechnology journal focusing on fabrication of electronic, photonic, bioelectronic, electromechanic and fluidic devices and systems, and their applications in the broad areas of electronics, photonics, energy, life sciences, and environment. It covers also the expanding interdisciplinary field of "more than Moore" and "beyond Moore" integrated nanoelectronics / photonics and micro-/nano-/bio-systems. Through its unique mixture of peer-reviewed articles, reviews, accelerated publications, short and Technical notes, and the latest research news on key developments, Microelectronic Engineering provides comprehensive coverage of this exciting, interdisciplinary and dynamic new field for researchers in academia and professionals in industry.

[ 查看全部 ]

投稿咨詢加急咨詢

Microelectronic Engineering期刊信息

ISSN：0167-9317
出版語言：English
是否OA：未開放
E-ISSN：1873-5568
出版地區(qū)：NETHERLANDS
是否預(yù)警：否
出版商：Elsevier
出版周期：Monthly
創(chuàng)刊時間：1983
開源占比：0.0341
Gold OA文章占比：15.94%
OA被引用占比：0.1274...
出版國人文章占比：0.14
出版撤稿占比：0
研究類文章占比：91.00%

Microelectronic Engineering CiteScore評價數(shù)據(jù)（2024年最新版）

CiteScore

SJR

SNIP

CiteScore 指數(shù)

5.3

0.503

0.847

學(xué)科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Physics and Astronomy 小類：Condensed Matter Physics	Q2	127 / 434	70%
大類：Physics and Astronomy 小類：Atomic and Molecular Physics, and Optics	Q2	68 / 224	69%
大類：Physics and Astronomy 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q2	242 / 797	69%
大類：Physics and Astronomy 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	87 / 284	69%
大類：Physics and Astronomy 小類：Surfaces, Coatings and Films	Q2	42 / 132	68%

名詞解釋：CiteScore 是衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù)，是在 Scopus 中衡量期刊影響力的另一個指標(biāo)。當(dāng)年CiteScore 的計(jì)算依據(jù)是期刊最近4年（含計(jì)算年度）的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻(xiàn)數(shù)。例如，2022年的 CiteScore 計(jì)算方法為：2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的對2019-2022年發(fā)表的文件的引用數(shù)量÷2019-2022年發(fā)布的文獻(xiàn)數(shù)量注：文獻(xiàn)類型包括：文章、評論、會議論文、書籍章節(jié)和數(shù)據(jù)論文。

Microelectronic Engineering中科院評價數(shù)據(jù)

中科院 2023年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學(xué)科		小類學(xué)科
否	否	工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院 2022年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學(xué)科		小類學(xué)科
否	否	工程技術(shù)	3區(qū)	OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技	3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院 2021年12月舊的升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學(xué)科		小類學(xué)科
否	否	工程技術(shù)	3區(qū)	OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技	3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院 2021年12月基礎(chǔ)版

Top期刊	綜述期刊	大類學(xué)科		小類學(xué)科
否	否	工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院 2021年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學(xué)科		小類學(xué)科
否	否	工程技術(shù)	3區(qū)	OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技	3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院 2020年12月舊的升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學(xué)科		小類學(xué)科
否	否	工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū)

Microelectronic Engineering JCR評價數(shù)據(jù)（2023-2024年最新版）

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	157 / 352	55.5%
學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q3	94 / 140	33.2%
學(xué)科：OPTICS	SCIE	Q2	45 / 119	62.6%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	81 / 179	55%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	179 / 354	49.58%
學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q3	74 / 140	47.5%
學(xué)科：OPTICS	SCIE	Q3	64 / 120	47.08%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	88 / 179	51.12%

Microelectronic Engineering歷年數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)

影響因子

中科院分區(qū)

Microelectronic Engineering中國學(xué)者發(fā)文選摘

1、Investigation of trapping/de-trapping dynamics of surface states in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors based on dual-gate structures
Author: Luan, Tiantian; Jiang, Qimeng; Huang, Sen; Wang, Xinhua; Jin, Hao; Guo, Fuqiang; Yao, Yixu; Fan, Jie; Yin, Haibo; Wei, Ke; Li, Yankui; Jiang, Haojie; Li, Junfeng; Liu, Xinyu

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 269, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111916
2、Soybean-based memristor for multilevel data storage and emulation of synaptic behavior
Author: Wang, Lu; Li, Wenhao; Wen, Dianzhong

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 267, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111911
3、La-doped BiFeO3 junction based random access multilevel nonvolatile memory
Author: Li, Dong; Zhu, Xiaodong; Wu, Yanan; Zhao, Jian; Zhang, Kaimin; Li, Rui; Hao, Danni; Ma, Yanqing; Moro, Ramiro; Ma, Lei

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 267, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111908
4、A dual-mass fully decoupled MEMS gyroscope with optimized structural design for minimizing mechanical quadrature coupling
Author: Wu, Zhongye; Feng, Ronghui; Sun, Chengliang; Wang, Peng; Wu, Guoqiang

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 269, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111918
5、Dynamical analysis, circuit implementation, and simultaneous application of a novel four-dimensional hyperchaotic system based on cosine functions
Author: Zhang, Jie; Hou, Jinyou; Xu, Longhao; Zhu, Xiaopeng; Xie, Qinggang

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 271, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111939
6、Machine learning algorithm for the structural design of MEMS resonators
Author: Gu, Liutao; Zhang, Weiping; Lu, Haolin; Wu, Yuting; Fan, Chongyang

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 271, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111950
7、The insight and evaluation of ultra-scaled sub-1 nm gate length transistors
Author: Tian, He; Shen, Yang; Yan, Zhaoyi; Liu, Yanming; Wu, Fan; Ren, Tian-Ling

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 273, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111963
8、Simulation study of zone-height limit by electron beam lithography for 30 nm Fresnel zone plates in X ray optics
Author: Chen, Qiucheng; Mu, Chengyang; Tong, Xujie; Zhao, Jun; Wu, Qingxin; Chen, Yifang

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 273, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111965